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半導體技術雜志

主辦單位:中國電子科技集團公司第十三研究所
主管單位:中國電子科技集團公司

半導體技術雜志基本信息 北大期刊 統計源期刊

《半導體技術》由趙小寧擔任主編,由中國電子科技集團公司第十三研究所主辦的一本電子類北大期刊、統計源期刊。該刊創刊于1976年。主要刊登電子學科方面有創見的學術論文,介紹有特色的科研成果,探討有新意的學術觀點提供交流平臺,擴大國內外同行學術交流。本刊為月刊,A4開本,全年定價¥316.00元。郵發代號:18-65,歡迎廣大讀者訂閱或投稿。

基本信息:
ISSN:1003-353X
CN:13-1109/TN
期刊類別:電子
郵發代號:18-65
全年訂價:¥ 316.00
出版信息:
創刊時間:1976
出版地區:河北
出版周期:月刊
出版語言:中文
主編:趙小寧
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半導體技術雜志介紹

《半導體技術》是一本由中國電子科技集團公司主管,中國電子科技集團公司第十三研究所主辦的一本面向國內外公開發行的電子類期刊,該刊主要報道電子相關領域的研究成果與實踐。該刊已入選北大期刊、統計源期刊。 影響因子為0.57 《半導體技術》主要內容欄目有趨勢與展望、半導體集成電路、半導體器件、半導體制備技術、先進封裝技術。

《半導體技術》主要發文機構有:中國電子科技集團第十三研究所(發文量715篇),該機構主要研究主題為“電路;晶體管;集成電路;單片;放大器”;河北工業大學(發文量261篇),該機構主要研究主題為“CMP;化學機械拋光;機械拋光;拋光液;拋光”;中國科學院(發文量254篇),該機構主要研究主題為“半導體;電路;激光;激光器;晶體管”。

《半導體技術》主要發文主題有半導體、電路、集成電路、晶體管、芯片、放大器、封裝、二極管、單片、功耗。其中又以”半導體(1081篇)”居于榜首,發文量第二的是“電路”(1033篇),發文量第三的是“集成電路”(768篇),發文主題最少的是“功耗”,僅發文168篇。

半導體技術影響力及榮譽

半導體技術投稿注意事項

1、來稿要求:

本刊歡迎下列來稿:電子及相關學科領域的研究方面的論著,反映國內外電子學術動態的述評、論著、綜述、講座、學術爭鳴的文稿,以及有指導意義的電子書刊評價等。文稿應具科學性、先進性、新穎性和實用性,內容翔實,簡明扼要,重點突出,文字數據務求準確,層次清楚,標點符號準確,圖表規范,書寫規范。本刊不接受已公開發表的文章,嚴禁一稿兩投。對于有涉嫌學術不端行為的稿件,編輯部將一律退稿,來稿確保不涉及保密、署名無爭議等,文責自負。

2、作者簡介:

述評、專家論壇、指南解讀欄目來稿請附第一作者及通信作者的個人簡介及近照。個人簡介內容包括職稱、職務、學術兼職、主要研究領域、主要研究成果、所獲重大榮譽獎項等,字數以 100~300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜,格式為“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。

3、文題:

文題力求簡明、醒目,反映文稿主題,中文文題控制在 20 個漢字以內。題名中應避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結構式和公式。有英文摘要者同時給出英文文題,中英文文題含義應一致。

4、圖表:

文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻中的圖表。圖表力求簡明,設計應科學,避免與正文重復。凡能用少量文字說明的數據資料盡量不用圖表。正文與表中數據應認真核對,準確無誤,表內數據同一指標的有效位數應一致。

半導體技術數據統計

  • 總發文量:2255
  • 總被引量:7023
  • 平均引文率:6.5067
  • H指數:22
  • 期刊他引率:0.8215
主要發文機構分析
機構名稱 發文量 主要研究主題
中國電子科技集團第十三研究所 715 電路;晶體管;集成電路;單片;放大器
河北工業大學 261 CMP;化學機械拋光;機械拋光;拋光液;拋光
中國科學院 254 半導體;電路;激光;激光器;晶體管
中國科學院微電子研究所 216 電路;晶體管;放大器;功耗;低功耗
清華大學 177 電路;集成電路;封裝;半導體;芯片
復旦大學 161 電路;集成電路;封裝;有限元;芯片
北京工業大學 136 晶體管;可靠性;異質結;二極管;雙極晶體管
西安電子科技大學 110 電路;集成電路;放大器;晶體管;轉換器
電子科技大學 102 電路;集成電路;放大器;單片;晶體管
華南理工大學 100 電路;晶體管;封裝;半導體;可靠性
主要資助項目分析
資助項目 涉及文獻
國家自然科學基金 1019
國家高技術研究發展計劃 203
國家科技重大專項 164
國家重點基礎研究發展計劃 160
河北省自然科學基金 77
國家教育部博士點基金 71
北京市自然科學基金 41
廣東省自然科學基金 40
天津市自然科學基金 38
江蘇省自然科學基金 35
年度被引次數報告
年度參考文獻報告

半導體技術文章摘錄

  • p型SiC歐姆接觸理論及研究進展 作者:黃玲琴; 夏馬力; 谷曉鋼
  • 芯片原子鐘MEMS原子氣室數字溫控系統設計 作者:劉召軍; 李坤; 李云超; 胡旭文; 閆樹斌; 張彥軍
  • 一種高精度高轉換效率的LED驅動電路 作者:唐俊龍; 羅磊; 周斌騰; 肖仕勛; 謝海情; 鄒望輝
  • 一種高線性無源雙平衡混頻器 作者:曲韓賓; 高思鑫; 張曉朋; 高博
  • 無凹槽AlGaN/GaN肖特基勢壘二極管正向電流輸運機制 作者:吳昊; 康玄武; 楊兵; 張靜; 趙志波; 孫躍; 鄭英奎; 魏珂; 閆江
  • 藍寶石襯底上槽柵型X波段增強型AlGaN/GaN HEMT 作者:顧國棟; 敦少博; 郭紅雨; 韓婷婷; 呂元杰; 房玉龍; 張志榮; 馮志紅
  • 《半導體技術》稿約 作者:--
  • 第13屆國際專用集成電路會議征稿通知 作者:--
  • 鈍化處理對Al2O3/InP MOS電容界面特性的影響 作者:李海鷗; 李璽; 李躍; 劉英博; 孫堂友; 李琦; 李陳成; 陳永和
  • NH3等離子體鈍化對Al2O3/SiGe界面的影響 作者:朱軒民; 張靜; 馬雪麗; 李曉婷; 閆江; 李永亮; 王文武
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